IXBT24N170 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1633.4 грн |
2+ | 1433.98 грн |
10+ | 1413.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBT24N170 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Technology: BiMOSFET™, Mounting: SMD, Case: TO268, Kind of package: tube, Turn-off time: 1285ns, Turn-on time: 190ns, Pulsed collector current: 230A, Power dissipation: 250W, Collector current: 24A, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, Gate-emitter voltage: ±20V, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.7kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBT24N170 за ціною від 1654.85 грн до 1960.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXBT24N170 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Turn-off time: 1285ns Turn-on time: 190ns Pulsed collector current: 230A Power dissipation: 250W Collector current: 24A Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 0.14µC Gate-emitter voltage: ±20V Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXBT24N170 | Виробник : IXYS | Description: IGBT 1700V 60A 250W TO268 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXBT24N170 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs |
товар відсутній |