на замовлення 75 шт:
термін постачання 1011-1020 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2742.51 грн |
| 10+ | 2494.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXDN55N120D1 IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 55A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: NPT, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 450 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3.8 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції IXDN55N120D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXDN55N120D1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 450000mW |
товар відсутній |
|
 |
IXDN55N120D1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 62A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 124A Power dissipation: 450W Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXDN55N120D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 55A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: NPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 450 W Current - Collector Cutoff (Max): 3.8 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXDN55N120D1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 62A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 124A Power dissipation: 450W Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |