на замовлення 839 шт:
термін постачання 842-851 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2286.15 грн |
| 10+ | 2002.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB44N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB44N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFB44N100P Код товару: 199488 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
IXFB44N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|
|
|
IXFB44N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFB44N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFB44N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 44A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 305nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFB44N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFB44N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 44A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS264™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 305nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
товар відсутній |