Продукція > IXYS > IXFE39N90
IXFE39N90

IXFE39N90 IXYS


DS98920A(IXFE39N90).pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFE39N90 IXYS

Description: MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 580W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFE39N90

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFE39N90 IXFE39N90 Виробник : IXYS ixys_98920-1547059.pdf Discrete Semiconductor Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
товар відсутній