IXFH10N80P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 342.26 грн |
| 3+ | 285.82 грн |
| 4+ | 227.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH10N80P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.
Інші пропозиції IXFH10N80P за ціною від 191.6 грн до 419.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH10N80P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH10N80P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXFH10N80P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3 Technology: HiPerFET™; Polar™ Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH10N80P | Виробник : IXYS |
MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH10N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFH10N80P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |