Продукція > IXYS > IXFH120N25X3
IXFH120N25X3

IXFH120N25X3 IXYS

IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+811.09 грн
2+ 616.15 грн
4+ 582.77 грн
10+ 582.08 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH120N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH120N25X3 за ціною від 542.77 грн до 973.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+880.33 грн
30+ 686.2 грн
120+ 645.85 грн
510+ 549.29 грн
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 Виробник : IXYS media-3320032.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+956.47 грн
10+ 830.71 грн
30+ 663.61 грн
60+ 662.94 грн
120+ 624.22 грн
270+ 574.81 грн
510+ 542.77 грн
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 Виробник : IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+973.3 грн
2+ 767.82 грн
4+ 699.32 грн
10+ 698.49 грн
30+ 671.79 грн
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n25x3_datasheet.pdf.pdf Power MOSFET
товар відсутній
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n25x3_datasheet.pdf.pdf Power MOSFET
товар відсутній