IXFH12N90P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 651.4 грн |
30+ | 500.9 грн |
120+ | 448.18 грн |
510+ | 371.12 грн |
1020+ | 334.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH12N90P IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 380W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH12N90P за ціною від 415.92 грн до 707.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH12N90P | Виробник : IXYS | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH12N90P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXFH12N90P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXFH12N90P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 12A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXFH12N90P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 12A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |