Продукція > IXYS > IXFH150N25X3
IXFH150N25X3

IXFH150N25X3 IXYS

IXFH150N25X3.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1024.53 грн
2+ 758.71 грн
3+ 716.99 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH150N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH150N25X3 за ціною від 693.82 грн до 1229.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH150N25X3 IXFH150N25X3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1111.43 грн
30+ 866.78 грн
120+ 815.8 грн
510+ 693.82 грн
IXFH150N25X3 IXFH150N25X3 Виробник : IXYS IXFH150N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1229.43 грн
2+ 945.47 грн
3+ 860.39 грн
30+ 840.36 грн
IXFH150N25X3 IXFH150N25X3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N25X3 IXFH150N25X3 Виробник : IXYS media-3321180.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній