IXFH26N65X2 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 762.41 грн |
| 5+ | 689.76 грн |
| 10+ | 617.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH26N65X2 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH26N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXFH26N65X2 за ціною від 433.92 грн до 838.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH26N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFET MOSFET DISCRETE |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH26N65X2 | Виробник : IXYS |
Description: IXFH26N65X2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247 (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IXFH26N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IXFH26N65X2 | Виробник : Littelfuse |
IXFH26N65X2 |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
IXFH26N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |