IXFH34N65X2

IXFH34N65X2 Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+316.63 грн
Мінімальне замовлення: 180
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH34N65X2 Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFH34N65X2 за ціною від 311.97 грн до 586.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+340.73 грн
Мінімальне замовлення: 35
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+486.85 грн
3+ 330.6 грн
7+ 311.97 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+543.34 грн
5+ 488.33 грн
10+ 433.33 грн
50+ 381.67 грн
100+ 332.56 грн
250+ 326.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+547.58 грн
30+ 420.97 грн
120+ 376.66 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+584.22 грн
3+ 411.98 грн
7+ 374.36 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : IXYS media-3321279.pdf MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+586.72 грн
10+ 496.04 грн
30+ 391.59 грн
120+ 361.11 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : Littelfuse 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)