IXFH36N60X3 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH36N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 549.71 грн |
| 5+ | 494.29 грн |
| 10+ | 438.87 грн |
| 50+ | 386.66 грн |
| 100+ | 337.02 грн |
| 250+ | 330.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH36N60X3 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH36N60X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXFH36N60X3 за ціною від 275.06 грн до 594.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH36N60X3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFH36N60X3 | Виробник : IXYS |
MOSFET DISCRETE MOSFET 36A 600V X3 TO |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXFH36N60X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 446W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IXFH36N60X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 446W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 180ns |
товар відсутній |