IXFH46N65X3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 628.29 грн |
| 10+ | 518.37 грн |
| 300+ | 406.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH46N65X3 IXYS
Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH46N65X3 за ціною від 449.97 грн до 672.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH46N65X3 | Виробник : IXYS |
MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| IXFH46N65X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 46A; Idm: 65A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 165ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| IXFH46N65X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 46A; Idm: 65A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 165ns |
товар відсутній |