Продукція > IXYS > IXFH50N30Q3
IXFH50N30Q3

IXFH50N30Q3 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_50n30q3_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+878.07 грн
30+ 684.58 грн
120+ 644.3 грн
510+ 547.96 грн
1020+ 502.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH50N30Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH50N30Q3 за ціною від 555.32 грн до 1070.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 Виробник : IXYS IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 690W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 65nC
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+891.96 грн
2+ 652.5 грн
4+ 616.51 грн
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 Виробник : IXYS media-3322723.pdf MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+940.81 грн
10+ 817.37 грн
30+ 652.97 грн
60+ 652.3 грн
120+ 613.77 грн
270+ 572.59 грн
510+ 555.32 грн
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 Виробник : IXYS IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 690W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 65nC
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1070.35 грн
2+ 813.11 грн
4+ 739.82 грн
30+ 711.59 грн
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)