Продукція > IXYS > IXFH98N60X3
IXFH98N60X3

IXFH98N60X3 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 98A TO247
на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1180.04 грн
10+ 1044.12 грн
100+ 881.82 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH98N60X3 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; X3-Class, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 98A, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 960W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 90nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 220ns.

Інші пропозиції IXFH98N60X3 за ціною від 798.47 грн до 1222.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH98N60X3 IXFH98N60X3 Виробник : IXYS media-3322438.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 98A 600V X3 TO
на замовлення 900 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1222.84 грн
10+ 1061.8 грн
30+ 898.61 грн
60+ 847.87 грн
120+ 798.47 грн
IXFH98N60X3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 220ns
товар відсутній
IXFH98N60X3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 98A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 220ns
товар відсутній