Інші пропозиції IXFK140N25T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK140N25T | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 250V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFK140N25T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
|
|
IXFK140N25T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFK140N25T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264 Mounting: THT Drain-source voltage: 250V Drain current: 140A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFK140N25T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXFK140N25T | Виробник : IXYS |
MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A |
товар відсутній |
|
|
|
IXFK140N25T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264 Mounting: THT Drain-source voltage: 250V Drain current: 140A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Case: TO264 |
товар відсутній |