IXFK210N30X3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 210A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2237.31 грн |
| 25+ | 1786 грн |
| 100+ | 1674.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK210N30X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFK210N30X3 за ціною від 1471.42 грн до 2395.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK210N30X3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFK210N30X3 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFK210N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFK210N30X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFK210N30X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Technology: HiPerFET™; X3-Class Mounting: THT Reverse recovery time: 190ns Case: TO264 Kind of package: tube Power dissipation: 1.25kW Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 375nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFK210N30X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 Technology: HiPerFET™; X3-Class Mounting: THT Reverse recovery time: 190ns Case: TO264 Kind of package: tube Power dissipation: 1.25kW Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 375nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |