на замовлення 500 шт:
термін постачання 210-219 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2255.58 грн |
| 10+ | 2221.81 грн |
| 25+ | 1742.17 грн |
| 50+ | 1601.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK360N15T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 360A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1670W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK360N15T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK360N15T2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
|
|
IXFK360N15T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFK360N15T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXFK360N15T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 360A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 360A Power dissipation: 1670W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 715nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFK360N15T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 360A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1670W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFK360N15T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 360A; 1670W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 360A Power dissipation: 1670W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 715nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 150ns |
товар відсутній |