IXFK64N60Q3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1978.17 грн |
| 2+ | 1736.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK64N60Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK64N60Q3 за ціною від 2047.75 грн до 2486.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFK64N60Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFK64N60Q3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFK64N60Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXFK64N60Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXFK64N60Q3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A |
товар відсутній |