Технічний опис IXFN26N90 IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN26N90
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFN26N90 | Виробник : IXYS |
 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IXFN26N90 | Виробник : IXYS |
MODULE |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IXFN26N90 Код товару: 53753 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||
 |
IXFN26N90 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|
 |
IXFN26N90 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXFN26N90 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 900V 26A |
товар відсутній |