IXFN48N60P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1938.32 грн |
| 10+ | 1658.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN48N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN48N60P за ціною від 1746.49 грн до 2127.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN48N60P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN48N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN48N60P | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 600V 48A |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFN48N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXFN48N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXFN48N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXFN48N60P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; Idm: 110A Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 625W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.14Ω Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXFN48N60P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; Idm: 110A Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 625W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.14Ω Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 200ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |