IXFN80N50 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4034.84 грн |
| 5+ | 3851.33 грн |
| 10+ | 3667.83 грн |
| 50+ | 3351.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN80N50 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 780W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.
Інші пропозиції IXFN80N50
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN80N50 Код товару: 42690 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
IXFN80N50 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|
 |
IXFN80N50 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 320A Technology: HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 694W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 55mΩ Gate charge: 380nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXFN80N50 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 500V 80A |
товар відсутній |
|
|
|
IXFN80N50 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 320A Technology: HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 694W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 55mΩ Gate charge: 380nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |