Технічний опис IXFP4N85X IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP4N85X за ціною від 163.57 грн до 246.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFP4N85X | Виробник : IXYS |
 IXFP4N85X THT N channel transistors |
на замовлення 279 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXFP4N85X | Виробник : Littelfuse |
X-Class HiPERFET Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||
 |
IXFP4N85X | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V |
товар відсутній |