на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 450.89 грн |
| 10+ | 380.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP7N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP7N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFP7N100P Код товару: 148332 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
IXFP7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP7N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 7A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFP7N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP7N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 7A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
товар відсутній |