IXFQ140N20X3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 732.45 грн |
2+ | 543.13 грн |
5+ | 513.23 грн |
30+ | 504.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFQ140N20X3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 140A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFQ140N20X3 за ціною від 499.34 грн до 878.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFQ140N20X3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 140A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFQ140N20X3 | Виробник : IXYS | MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFQ140N20X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 520W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 127nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 90ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFQ140N20X3 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |