IXFT120N15P IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 650.07 грн |
2+ | 432.56 грн |
6+ | 408.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT120N15P IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT120N15P за ціною від 420.6 грн до 782.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFT120N15P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 150V Drain current: 120A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 600W Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO268 Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFT120N15P | Виробник : IXYS | MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFT120N15P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXFT120N15P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V |
товар відсутній |