Продукція > IXYS > IXFT14N80P
IXFT14N80P

IXFT14N80P IXYS

IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+504.78 грн
3+ 372.75 грн
6+ 352.58 грн
30+ 347.02 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT14N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT14N80P за ціною від 416.42 грн до 605.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFT14N80P IXFT14N80P Виробник : IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+605.73 грн
3+ 464.5 грн
6+ 423.1 грн
30+ 416.42 грн
IXFT14N80P IXFT14N80P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFT14N80P IXFT14N80P Виробник : IXYS media-3319887.pdf MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds
товар відсутній