на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1192.43 грн |
10+ | 1079.36 грн |
30+ | 899.93 грн |
120+ | 792.96 грн |
510+ | 705.31 грн |
1020+ | 641.13 грн |
2520+ | 619.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX120N30T IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX120N30T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXFX120N30T | Виробник : IXYS | IXFX120N30T THT N channel transistors |
товар відсутній |
||
IXFX120N30T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V |
товар відсутній |