Продукція > IXYS > IXFX120N30T
IXFX120N30T

IXFX120N30T IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Trench_Gate_-1856399.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 120V 300V
на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1192.43 грн
10+ 1079.36 грн
30+ 899.93 грн
120+ 792.96 грн
510+ 705.31 грн
1020+ 641.13 грн
2520+ 619.05 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX120N30T IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX120N30T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFX120N30T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_120n30t_datasheet.pdf.pdf IXFX120N30T THT N channel transistors
товар відсутній
IXFX120N30T IXFX120N30T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_120n30t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товар відсутній