Продукція > IXYS > IXFX64N50P
IXFX64N50P

IXFX64N50P IXYS


media-3321672.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1315.62 грн
10+ 1149.21 грн
30+ 984.82 грн
60+ 917.87 грн
120+ 886.82 грн
270+ 842.65 грн
510+ 787.44 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX64N50P IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX64N50P за ціною від 1247.98 грн до 1330.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFX64N50P IXFX64N50P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+1330.33 грн
60+ 1247.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFX64N50P IXFX64N50P
Код товару: 88763
media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFX64N50P IXFX64N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXFX64N50P IXFX64N50P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXFX64N50P IXFX64N50P Виробник : IXYS IXFK(X)64N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFX64N50P IXFX64N50P Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFX64N50P IXFX64N50P Виробник : IXYS IXFK(X)64N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній