IXFY4N60P3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFY4N60P3 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 114W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 6.9nC, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 250ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFY4N60P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFY4N60P3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 |
товар відсутній |
|
 |
IXFY4N60P3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode |
товар відсутній |
|
| IXFY4N60P3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 114W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
товар відсутній |