IXGA20N120A3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 180W
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 50nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 180W
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 50nC
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 371.84 грн |
3+ | 310.68 грн |
4+ | 247.71 грн |
9+ | 233.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGA20N120A3 IXYS
Description: IGBT PT 1200V 40A TO263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off), Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 180 W.
Інші пропозиції IXGA20N120A3 за ціною від 280.65 грн до 446.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXGA20N120A3 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXGA20N120A3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Power dissipation: 180W Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 66ns Turn-off time: 1.53µs Type of transistor: IGBT Gate charge: 50nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 377 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXGA20N120A3 Код товару: 56134 |
Виробник : IXYS |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-263 Vces: 1200 V Vce: 2,5 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 180 W td(on)/td(off) 100-150 град: 16/290 |
товар відсутній
|
||||||||||||
IXGA20N120A3 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||
IXGA20N120A3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V 40A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263AA IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off) Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 180 W |
товар відсутній |