Продукція > IXYS > IXGK72N60B3H1
IXGK72N60B3H1

IXGK72N60B3H1 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_72n60b3h1_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 75A 540W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 540 W
на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+1007.46 грн
Мінімальне замовлення: 300
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGK72N60B3H1 IXYS

Description: IGBT 600V 75A 540W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-264 (IXGK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A, Power - Max: 540 W.

Інші пропозиції IXGK72N60B3H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 Виробник : IXYS IXGK(X)72N60B3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 Виробник : IXYS media-3320043.pdf IGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товар відсутній
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 Виробник : IXYS IXGK(X)72N60B3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
товар відсутній