IXGT60N60C3D1 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 417.16 грн |
3+ | 308.93 грн |
8+ | 292.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT60N60C3D1 IXYS
Description: IGBT 600V 75A 380W TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns, Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 380 W.
Інші пропозиції IXGT60N60C3D1 за ціною від 345.12 грн до 500.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXGT60N60C3D1 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXGT60N60C3D1 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXGT60N60C3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 600V 75A 380W TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-268AA IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 380 W |
товар відсутній |
||||||||||||
IXGT60N60C3D1 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors 60 Amps 600V |
товар відсутній |