Технічний опис IXKT70N60C5 Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 66A, Power dissipation: 540W, Case: TO268, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 150nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: super junction coolmos, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXKT70N60C5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXKT70N60C5 | Виробник : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 66A Power dissipation: 540W Case: TO268 On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: super junction coolmos кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| IXKT70N60C5 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 Packaging: Bulk |
товар відсутній |
||
 |
IXKT70N60C5 | Виробник : IXYS |
MOSFET 70 Amps 600V |
товар відсутній |
|
|
|
IXKT70N60C5 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 66A Power dissipation: 540W Case: TO268 On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товар відсутній |