IXTA10N60P

IXTA10N60P Littelfuse


rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_10n60p_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA10N60P Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA10N60P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA10N60P IXTA10N60P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_10n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA10N60P IXTA10N60P Виробник : IXYS media-3319784.pdf MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
товар відсутній