IXTA3N120HV IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 516.64 грн |
| 50+ | 397.53 грн |
| 100+ | 355.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N120HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, Dauer-Drainstrom Id: 3, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: TO-263, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTA3N120HV за ціною від 358.32 грн до 570.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N120HV | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 3 hazardous: false Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-263 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA3N120HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTA3N120HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTA3N120HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Power dissipation: 200W Case: TO263HV Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 700ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTA3N120HV | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTA3N120HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Power dissipation: 200W Case: TO263HV Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 700ns |
товар відсутній |