IXTA3N150HV IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 728.77 грн |
2+ | 483.66 грн |
5+ | 457.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N150HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA3N150HV за ціною від 548.84 грн до 874.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS | MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE |
на замовлення 336 шт: термін постачання 470-479 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 38.6nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 900ns Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTA3N150HV | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
товар відсутній |
||||||||||
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V |
товар відсутній |