на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 396.78 грн |
10+ | 328.48 грн |
50+ | 276.33 грн |
100+ | 227.84 грн |
250+ | 222.53 грн |
500+ | 203.26 грн |
1000+ | 175.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA460P2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA460P2 за ціною від 232.56 грн до 411.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTA460P2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTA460P2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Case: TO263 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.27Ω Power dissipation: 480W Kind of channel: enhanced Gate charge: 48nC Reverse recovery time: 400ns Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTA460P2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Case: TO263 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.27Ω Power dissipation: 480W Kind of channel: enhanced Gate charge: 48nC Reverse recovery time: 400ns Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |