Продукція > IXYS > IXTA6N50D2-TRL
IXTA6N50D2-TRL

IXTA6N50D2-TRL IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mo-1622594.pdf Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 800 шт:
термін постачання 456-465 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+674.22 грн
10+ 570.63 грн
25+ 470.29 грн
100+ 413.17 грн
250+ 399.88 грн
500+ 365.34 грн
800+ 349.4 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA6N50D2-TRL IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA6N50D2-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA6N50D2-TRL IXTA6N50D2-TRL Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA6N50D2-TRL IXTA6N50D2-TRL Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)