Продукція > LITTELFUSE > IXTA96P085T
IXTA96P085T

IXTA96P085T Littelfuse

use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA96P085T Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.

Інші пропозиції IXTA96P085T за ціною від 205.16 грн до 479.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS IXTA96P085T-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+394.19 грн
3+ 315.52 грн
4+ 251.86 грн
9+ 238.03 грн
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+415.32 грн
50+ 319.49 грн
100+ 285.86 грн
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+417.29 грн
5+ 387.48 грн
10+ 357.68 грн
50+ 304.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+445.26 грн
10+ 383.13 грн
25+ 380.4 грн
50+ 343.39 грн
100+ 274.84 грн
500+ 205.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS media-3321966.pdf MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 9254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.81 грн
10+ 431.6 грн
50+ 318.84 грн
100+ 276.33 грн
500+ 259.72 грн
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+454.57 грн
30+ 388.24 грн
50+ 350.43 грн
100+ 280.51 грн
Мінімальне замовлення: 26
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+455.19 грн
10+ 391.65 грн
25+ 388.78 грн
50+ 350.91 грн
100+ 280.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+459.1 грн
27+ 439.37 грн
50+ 422.63 грн
100+ 393.71 грн
250+ 353.49 грн
Мінімальне замовлення: 26
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS IXTA96P085T-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+473.03 грн
3+ 393.19 грн
4+ 302.24 грн
9+ 285.63 грн
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+479.51 грн
29+ 409.66 грн
50+ 369.8 грн
100+ 295.98 грн
500+ 220.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній