IXTH10N100D2 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1211.76 грн |
| 10+ | 1113.65 грн |
| 30+ | 941.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH10N100D2 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 695W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTH10N100D2 за ціною від 924.64 грн до 1423.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXTH10N100D2") |
IXTH10N100D2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH10N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2 |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH10N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTH10N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTH10N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 70ns |
товар відсутній |