.jpg "IXTH110N10L2")
IXTH110N10L2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1294.86 грн |
| 30+ | 1009.63 грн |
| 120+ | 950.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH110N10L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH110N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTH110N10L2 за ціною від 851.21 грн до 1485.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH110N10L2 | Виробник : IXYS |
MOSFET L2 Linear Power MOSFET |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH110N10L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH110N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH110N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTH110N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 230ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTH110N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 230ns |
товар відсутній |