на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1156.25 грн |
| 10+ | 1004.52 грн |
| 30+ | 860.21 грн |
| 60+ | 801.76 грн |
| 120+ | 789.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH1N170DHV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH1N170DHV за ціною від 904.25 грн до 1210.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH1N170DHV | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HVPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTH1N170DHV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1A Power dissipation: 290W Case: TO247HV On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXTH1N170DHV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1A Power dissipation: 290W Case: TO247HV On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 30ns |
товар відсутній |