.jpg "IXTH2N170D2")
IXTH2N170D2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 10 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1446.44 грн |
| 30+ | 1154.84 грн |
| 120+ | 1082.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH2N170D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 2A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 568W (Tc), Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IXTH2N170D2 за ціною від 1104.66 грн до 1572.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH2N170D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-channel MOSFET |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH2N170D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 2A; 568W; TO247-3; 80ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 2A Power dissipation: 568W Case: TO247-3 On-state resistance: 6.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 80ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXTH2N170D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 2A; 568W; TO247-3; 80ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 2A Power dissipation: 568W Case: TO247-3 On-state resistance: 6.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 80ns |
товар відсутній |