на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4074.5 грн |
| 10+ | 3772.43 грн |
| 30+ | 3174.69 грн |
| 100+ | 3066.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN17N120L IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A, Technology: Linear™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 34A, Power dissipation: 540W, Case: SOT227B, Gate-source voltage: ±40V, On-state resistance: 0.9Ω, Gate charge: 155nC, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: single transistor, Reverse recovery time: 1.83µs, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTN17N120L за ціною від 3712.62 грн до 4104.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN17N120L | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXTN17N120L | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.9Ω Gate charge: 155nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 1.83µs Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IXTN17N120L | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.9Ω Gate charge: 155nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 1.83µs Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |