IXTN200N10L2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3386.52 грн |
| 10+ | 2905.85 грн |
| 100+ | 2550.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN200N10L2 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTN200N10L2 за ціною від 2667.89 грн до 3803.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 178A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTN200N10L2 | Виробник : IXYS |
IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 178A 4-Pin SOT-227 |
товар відсутній |