IXTN90N25L2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3348.25 грн |
| 10+ | 2873.03 грн |
| 100+ | 2521.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN90N25L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 735W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN90N25L2 за ціною від 2306.8 грн до 3577.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN90N25L2 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 90 Amps 250V |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTN90N25L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IXTN90N25L2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 90A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 640nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 266ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTN90N25L2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 90A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 640nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 266ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |