IXTP08N50D2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.88 грн |
| 50+ | 151.62 грн |
| 100+ | 124.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP08N50D2 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTP08N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTP08N50D2 за ціною від 89.53 грн до 221.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP08N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA |
на замовлення 450 шт: термін постачання 420-429 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP08N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP08N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220 tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP08N50D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTP08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB On-state resistance: 4.6Ω Mounting: THT Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTP08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB On-state resistance: 4.6Ω Mounting: THT Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 11ns |
товар відсутній |