на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 618.36 грн |
| 10+ | 537.3 грн |
| 50+ | 396.82 грн |
| 100+ | 383.71 грн |
| 500+ | 345.07 грн |
| 1000+ | 305.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP120N20X4 IXYS
Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 (IXTP), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP120N20X4 за ціною від 295.87 грн до 577.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTP120N20X4 | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 (IXTP) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IXTP120N20X4 | Виробник : Littelfuse |
Discrete MOSFET 120A 200V X4 TO220 |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IXTP120N20X4 | Виробник : Littelfuse |
IXTP120N20X4 |
товар відсутній |