IXTP120P065T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -65V
Reverse recovery time: 53ns
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 369.27 грн |
| 3+ | 308.54 грн |
| 4+ | 245.43 грн |
| 10+ | 232.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP120P065T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Інші пропозиції IXTP120P065T за ціною від 236.96 грн до 444.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP120P065T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTP120P065T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns Mounting: THT Case: TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -65V Reverse recovery time: 53ns Power dissipation: 298W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Drain current: -120A On-state resistance: 10mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP120P065T | Виробник : IXYS |
MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP120P065T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTP120P065T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTP120P065T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V |
товар відсутній |