Продукція > IXYS > IXTP200N055T2
IXTP200N055T2

IXTP200N055T2 IXYS

IXTA(P)200N055T2.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO220AB; 49ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 49ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.55 грн
3+ 181.88 грн
6+ 145.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP200N055T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP200N055T2 за ціною від 163.56 грн до 322.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP200N055T2 IXTP200N055T2 Виробник : IXYS IXTA(P)200N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO220AB; 49ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 49ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.06 грн
3+ 226.65 грн
6+ 174.26 грн
17+ 163.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP200N055T2 IXTP200N055T2 Виробник : IXYS DS99919B(IXTA-TP200N055T2).pdf Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+303.09 грн
10+ 262.18 грн
100+ 214.78 грн
IXTP200N055T2 IXTP200N055T2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Trench_Gate_-1856483.pdf MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+322.06 грн
10+ 284.13 грн
50+ 233.95 грн
100+ 202.21 грн
500+ 172.53 грн
1000+ 163.56 грн
IXTP200N055T2 IXTP200N055T2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n055t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP200N055T2 IXTP200N055T2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n055t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній